与往常一样,主题演讲概述了半导体行业以及相关微纳米技术领域的发展方向和趋势。去年的重点是限制当前和未来人工智能应用的过度能耗,而 Serge Nicoleau(意法半导体)的主题演讲将这一主题扩展到半导体行业工艺的总体可持续性,即减少资源消耗并日益避免使用有毒或对环境有害的物质,如 PFAS(所谓的永恒化学物质)。Kagawa-san(佳能)、Sebastian Dauvé(CEA-LETI)和 Kurt Ronse(IMEC)的其他主题演讲涉及纳米压印光刻的现状和前景、CEA-LETI 的半导体研究计划(FAMES)和 EUV 光刻。 Kurt Ronse 的贡献尤其预测了到 2040 年纳米技术的预期发展。虽然半导体行业的领先公司即将推出具有技术节点 N2 的高端工艺(例如,最密集布线层的导体轨道宽度约为 11nm),但节点 A1 中只能实现约 6nm(!)的线宽(根据 2040 年的当前路线图)。
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